『转载』闪信通创芯:DRAM Q3有望反弹,,,但NAND Flash反弹有难度

栏目:公司动态 发布时间:2023-04-28

       特别声明:本文授权转载自微信公众号“电子创新网”。。。。


       当一个市场处于下行趋势时,,需要有新的刺激,,,才能改变市场的走势,,在经历近一年大幅下跌之后 ,,,有哪些行业将给存储产业注入新的活力,,,,改变其走势呢??在近日的2023CFMS闪存峰会上,,深圳市闪信通创新科技股份有限公司(股票代码:002213,,,下称“闪信通股份”)旗下存储业务子公司深圳市闪信通创芯微电子科技有限公司(下称“闪信通创芯”)首席技术官陈宗廷在接受电子创新网等媒体采访时指出,,他认为人工智能、、新能源汽车等将带动存储市场反弹。。。。

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       “人工智能应用主要分为四个流程,,,,感知、、运算、、、学习和生成。。。运算跟学习会用到非常多的存储,,,尤其是在学习的过程中,,,因为要把已知的资料跟算法分别归类去做储存,,,所以对存储需求很大,,这也是闪信通创芯积极在布局的市场,,亦是闪信通创芯的优势领域,,如人脸辨识、、、、智能家居,,都是贴近消费者的产品,,这个领域是闪信通创芯有成熟产品的领域。。。。”他解释说,,,“存储市场,,,,2022年其实就已经很低迷,,整个的供给是大于需求的。。。但是如果反过来看,,DRAM各厂家已经确定减产了,,,,所以在23年的三季度DRAM会到达一个供需平衡,,,,然后年底有机会反弹。。。。”

       不过他认为NAND Flash反弹有难度,,,,因为NAND flash早就已经供给大于需求了,,而且随着新制程的推出,,,整个flash市场比较难达到一个供需平衡。。。。不过,,,数字化推动数据中心兴起,,在数据中心领域,,DRAM跟SSD 的需求量是非常庞大的。。。。所以在国内数据中心带动下,,,,会不会让整个国内市场触底反弹????他认为2023年Q4也许有机会。。。。

      此外,,,他认为在新能源车的带动下,,,车用存储器也会反弹。。。而随着chatGPT走热,,,,也会用到大量的内存条和SSD,,,,甚至延伸到消费者终端的嵌入式产品里。。。

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      他表示针对这样的趋势,,闪信通创芯为数据中心规划了DDR5内存条,,产品有望陆续在2023年第四季度和2024年第一季度量产。。。在新能源汽车领域,,闪信通创芯会推出新能源汽车专用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、、、eMMC等宽温级产品,,布局汽车辅助驾驶360环视领域,,,,目前已经有客户群。。

      从技术发展趋势来看,,,PC市场内存条已经从DDR4向DDR5迭代,,网通产品也普及了DDR4,,,而嵌入式存储产品今年有望从DDR3升级到DDR4。。一方面原因是DDR3减产导致供给不足,,,,消费者对存储性能要求提升;另一方面,,去年疫情影响了消费信心,,运营商支出缩减,,导致DDR4推广进程被推迟。。。

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      “闪信通创芯会将DDR3和DDR4作为今年推广重点。。”陈宗廷表示,,,“今年公司嵌入式存储的重点还是以网通为应用中心,,,,配合闪信通股份智能终端事业板块的发展。。

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